Заинтересовавшее учёных явление электромиграции — переноса вещества под действием движущихся электронов — становится всё более значимым при уменьшении размеров схем. Сформированные ими «островки» на серебряной поверхности состояли всего из 100–100 000 атомов, а для наблюдения за изменением их состояния в случае протекания тока пришлось использовать сканирующий туннельный микроскоп.
Как выяснилось, структуры такого типа смещаются в направлении, противоположном направлению протекания тока, и постепенно уменьшаются в размерах. При этом сила воздействия электронов оказалась значительно — практически в 20 раз — выше ожидаемой, что, по мнению исследователей, позволяет использовать её для направленного перемещения атомов в наноэлектронных компонентах.
Авторам также удалось выяснить, что воздействие электронов снижается при размещении дефектов (фуллерена C60) вдоль границ «островков». «Основная причина этого заключается в том, что дефекты вызывают рассеяние электронов», — поясняет руководитель группы Эллен Уильямс (Ellen Williams).
В настоящее время учёные проводят аналогичные эксперименты с наноразмерными структурами на поверхности графена, сообщает "Компьюлента".